
 
	双通道大功率HV-IGBT 驱动核
	主要参数(Ta=25℃ )
	VS 供电电源电压+15 V
	P 隔离电源总功率8 W
	Visol 隔离电压(1 minute. AC) 5 kV
	VCES IGBT 集电极- 发射极电压1700 V
	IoutAV 每通道平均电流160 mA
	IoutPEAK 每通道峰值电流±40 A
	Qout/pulse 每脉冲输出电荷±10* μC
	VG(ON/OFF) 门极电压+15/-9 V
	dv/dt 电压变化率75 kV/μS
	td(I/O) 信号转换延时650 nS
	tmd 窄脉冲抑制400 nS
	td(err) 故障响应延时110 nS
	fSW Max. 最高频率50 kHz
	Top 工作温度-40℃ ...+85℃
	
	
		特点
	
		●集成DC/DC 隔离电源
	
		●纳米晶变压器隔离
	
		●动态监测VCEsat 提供短路( 过流) 保护
	
		●欠压保护及门极电压监控
	
		●故障“软关断”及动态尖峰抑制
	
		●互锁及死区
	
		●输出电荷可自由扩充
	
		● 0--100% 占空比
	
		●表面爬电距离45mm
		
		
			应用
		
			桥式电路
		
			变频器
		
			逆变器
		
			感应加热
		
			APF
		
			SVG
		
			高频电源