POWER-SEM ELECTRONIC TECHNIQUE CO.LTD.
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IGBT 模块
特点：
*隔离电压大于3000伏
*平面玻璃钝化芯片
*适用于PC主板焊接的导线
*热敏变阻（可选）
*低饱和度电压
*低开关耗损
*反方向偏置安全工作区,没有闩锁
*短路保护能力
*正温度系数易于并联
*金属氧化物输入，电压受到控制
*超快速续流二极管
*快速&软反向恢复外延二极管
*快速导通能力
*符合 UL认证，E 148688


应用：
*主电流低谐波静止功能
*相位的主电流和主电压
*提供变压器初级绕组
*电源
*交流驱动
*电焊逆变器
*电动制动系统
*不间断电源系统
*脉宽调制驱动
*高频率变频器
*电机控制
*开关电源
*高频电焊机

Ecoline经济环保型功率因数调整模块
Type 
VCES



V
IC80 IC80
TC
80°C IGBT
A 
IF80 IF80
TC
80°C boost diode
A 
VRMM



V
IC80 IC80
TC
80°C rect. diodes
A 
RthJC RthJC
IGBT
per diode
K/W 
RthJC 
RthJC 
600
25
22
1200
10
0.96
1.15
2.5
600
30
19
600
22
0.96
1.15
2.5
Ecoline经济环保型功率因数调整模块

Type
Rectifier
IGBT 
fast Diode 

VRRM
V
IdAV @
A 
TH
°C 
VCES
V 
IC80
A 
VRRM
V 
IF(AV)
A 
trr
ns
PSDI 33/06*
600
29
80
600
30
600
18
30
PSDI 50/12
1600
56
100
1200
14
1200
10
110
Ecoline经济环保型 IGBT 模块
Type
VCES
Voltage
Grade
V 

IC25
TC = 80°C
IGBT
A 
IC80
TC = 80°C
IGBT
A 
VCE(sat)
Saturation
Voltage
(typical) Tj=25 °C
V 
Eoff 
Tj=125 °C
IGBT
mJ 
RthJC
IGBT
K/W 
IF25
TC = 25 °C DIODE
A
IF80
TC = 80 °C
DIODE
A
PSHI 25/06* 
600
24.5
17
2.4
0.5
1.52
18.5
12
PSHI 25/12* 
1200
30
21
2.6
2.1
0.96
26
17
PSHI 50/06* 
600
42.5
29
2.4
1
0.96
30
19
PSHI 50/12* 
1200
49
33
3.1
3.4
0.6
49
31
PSHI 50D/06* 
600
42.5
29
2.4
1
0.96
56
35
PSHI 50D/12* 
1200
49
33
3.1
3.4
0.6
49
31
PSHI 75D/06* 
600
69
48
2.3
1.4
0.6
56
35
PSHI 100/06* 
600
69
48
2.3
1.4
0.6
56
35
Ecoline经济环保型 IGBT 模块
Type 
VCES
Voltage
Grade
V 
IC25
TC = 25°C
IGBT
A  
IC80
TC = 80°C
IGBT
A 
VCE(sat) VCE(sat)
Saturation
Voltage
(typical) Tj=25°C
V 
td(on) td(off)
delay time
Switching
Characte-ristics
ns  
RthJC
IGBT
K/W 

IF25
TC = 25 °C DIODE
A 

IF80
TC = 80 °C
DIODE
A  
RthJC
DIODE
K/W  
PSI 25/06*
PSI 25/12* 
600
1200
24.5
30
17
21
2.4
2.6
30   270
100   500
1.52
0.96
18.5
26
12
17
3.5
2.3
PSI 50/06*
PSI 50/12*
600
1200
42.5
49
29
33
2.4
3.1
50   270
100   500 
0.96
0.6
30
49
19
31
2.3
1.3
PSI 75/06*
PSI 75/12*
600
1200
69
92
48
62
2.3
2.7
50   300
100   500
0.6
0.33
56
103
35
65
1.3
0.66
PSI 100/06* 
600
93
63
2.4
150   450 
0.43
134
82
0.66
PSI 130/06* 
600
121
83
2.3
25   150 
0.33
134
82.3
0.66
Ecoline经济环保型 IGBT 模块
Type 

VCESVoltage
Grade
V 
IC25
TC = 25°C
IGBT
A  
IC80
TC = 80°C
IGBT
A 
VCE(sat) VCE(sat)
Saturation
Voltage
(typical) Tj=25°C
V 
td(on) td(off)
delay time
Switching
Characte-ristics
ns  
RthJC
IGBT
K/W 

IF25
TC = 25 °C DIODE
A 
IF80
TC = 80 °C
DIODE
A  
RthJC
DIODE
K/W  
PSIG 25/06
PSIG 25/12
600
1200
24.5
30
17
21
2.4
2.6
30   270
100   500
1.52
0.96
18.5
26
12
17
3.5
2.3
PSIG 50/06
PSIG 50/12 
600
1200
42.5
49
29
33
2.4
3.1
50   270
100   500
0.96
0.6
30
49
19
31
2.3
1.3
PSIG 75/06
PSIG 75/12
600
1200
69
92
48
62
2.3
2.7
50   300
100   500
0.6
0.33
56
103
35
65
1.3
0.66
PSIG 100/06
PSIG 100/12 
600
1200
93
138
63
94
2.4
2.8
150   450
100   650
0.43
0.22
134
154
82
97
0.66
0.45
PSIG 130/06 
600
121
83
2.3
25   150
0.33
134
82.3
0.66
PSIG 160/12 
1200
169
117
2.9
100   600
0.18
154
97
0.45
Ecoline经济环保型 IGBT 模块
Type 
VCES
Voltage
Grade
V 
IC25
TC = 25°C
IGBT
A  
IC80
TC = 80°C
IGBT
A 
VCE(sat) VCE(sat)
Saturation
Voltage
(typical) Tj=25°C
V 
td(on) td(off)
delay time
Switching
Characte-ristics
ns  
RthJC
IGBT
K/W 

IF25
TC = 25 °C DIODE
A 
IF80
TC = 80 °C
DIODE
A  
RthJC
DIODE
K/W  
PSIS 25/06*
PSIS 25/12*
600
1200
24.5
30
17
21
2.4
2.6
30   270
100   500
1.52
0.96
18.5
26
12
17
3.5
2.3
PSIS 50/06*
PSIS 50/12*
600
1200
42.5
49
29
33
2.4
3.1
50    270
100   500
0.96
0.6
30
49
19
31
2.3
1.3
PSIS 75/06*
PSIS 75/12*
600
1200
69
92
48
62
2.3
2.7
50   300
100   500
0.6
0.33
56
103
35
65
1.3
0.66
PSIS 100/06*
PSIS 100/12* 
600
1200
93
138
63
94
2.4
2.8
150   450
100   650
0.43
0.22
134
154
82
97
0.66
0.45
PSIS 130/06* 
600
121
83
2.3
25   150
0.33
134
82.3
0.66
PSIS 160/12* 
1200
169
117
2.9
100   600
0.18
154
97
0.45
Ecoline经济环保型 IGBT 模块
Type 
VCES
Voltage
Grade
V 
IC25
TC = 25°C
IGBT
A  
IC80
TC = 80°C
IGBT
A 
VCE(sat) VCE(sat)
Saturation
Voltage
(typical) Tj=25°C
V 
td(on) td(off)
delay time
Switching
Characte-ristics
ns  
RthJC
IGBT
K/W 

IF25
TC = 25 °C DIODE
A 
IF80
TC = 80 °C
DIODE
A  
RthJC
DIODE
K/W  
PSSI  25/06* 
PSSI  25/12* 
600
1200
24.5
30
17
21
2.4
2.6
30   270
100   500
1.52
0.96
18.5
26
12
17
3.5
2.3
PSSI  50/06*
PSSI  50/12*   
600
1200
42.5
49
29
33
2.4
3.1
50   270
100   500
0.96
0.6
30
49
19
31
2.3
1.3
PSSI  75/06* 
PSSI  75/12*  
600
1200
69
92
48
62
2.3
2.7
50   300
100   500
0.6
0.33
56
103
35
65
1.3
0.66
PSSI 100/06*
PSSI 100/12*  
600
1200
93
138
63
94
2.4
2.8
150   450
100   650
0.43
0.22
134
154
82
97
0.66
0.45
PSSI 130/06* 
600
121
83
2.3
25   150
0.33
134
82.3
0.66
PSSI 160/12* 
1200
169
117
2.9
100   600
0.18
154
97
0.45
PSSI 45D/06 
600
69
48
2.3
50   300 
0.6
134
82
0.66
PSSI 46D/06 
600
69
48
2.3
50   300 
0.6
134
82
0.66
Ecoline经济环保型 IGBT 模块
Type 
VCES
Voltage
Grade
V 
IC25
TC = 25°C
IGBT
A 
IC80
TC = 80°C
IGBT
A 
VCE(sat) Saturation Voltage
(typical) Tj=25 °C
V 
Eoff
Tj =125 °C
IGBT
mJ 
RthJC

IGBT
K/W  
IF25
TC = 25 °C DIODE
A  
IF80
TC = 80 °C DIODE
A 
PSII  6/12*
PSII 15/12*
PSII 24/06*
1200
1200
600
6
18
19
4.1
14
14
3.9
2.3
1.9
0.2
1.1
0.3
3.1
1.4
1.7
12
15
21
8
10
14
PSII 35/06
600
31
21
1.9
0.7
1.3
35
22
PSII 30/06
PSII 30/12 
600
1200
42.5
49
29
33
2.4
3.1
1
3.4
0.96
0.6
30
49
19
30
PSII 50/06 
600
69
48
2.3
1.4
0.6
56
35
PSII 75/06
PSII 75/12  
600
1200
90
90
60
60
2.4
2.7
2.2
6.7
0.43
0.33
130
100
80
60
PSII 100/06
PSII 100/12 
600
1200
120
130
80
90
2.3
2.8
2.3
10.5
0.33
0.22
130
150
80
100
Ecoline经济环保型 IGBT 模块
 
Type 
VCES
Voltage Grade
V 
IC
Current
Rating
@ 75°C
A 
ICM
Maximum
Current
Rating
A 
VCE(SAT)
Saturation
Voltage
(Typical)
V 
Ets
Total Switchig
Energy
mJ
Viso
Isolation
Voltage
kV
RthJC
per IGBT
diode
Chip
PSTG 25 HDT 06
PSTG 25 HDT 08
PSTG 25 HDT 12 
600
800
1200 
25
25
25 
75
75
75 
1,9
1,9
1,9 
4
4
4 
3,0
3,0
3,0 
1,1    4,0
1,1    4,0
1,1    4,0
PSTG 25 HTT 06
PSTG 25 HTT 08
PSTG 25 HTT 12 
600
800
1200 
25
25
25 
75
75
75 
1,9
1,9
1,9 
4
4
4 
3,0
3,0
3,0 
1,1    4,0
1,1    4,0
1,1    4,0
PSTG 50 HST 06
PSTG 50 HST 08
PSTG 50 HST 12 
600
800
1200 
50
50
50 
150
150
150 
1,9
1,9
1,9 
8
8
8 
3,0
3,0
3,0 
0,83   2,0
0,83   2,0
0,83   2.0
PSTG 75 HST 06
PSTG 75 HST 08
PSTG 75 HST 12 
600
800
1200 
75
75
75 
225
225
225 
1,9
1,9
1,9 
12
12
12 
3,0
3,0
3,0 
0,55   1,33
0,55   1,33
0,55   1,33
主要产品

单相整流桥
三相整流桥
交流控制可控硅模块
超快恢复二极管模块
标准二极管模块
功率二极管
可控硅模块
可控硅模块部件
IGBT模块
MOSFET模块
固态继电器
可控硅触发器

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POWER-SEM IGBT DRIVERS

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