POWER-SEM ELECTRONIC TECHNIQUE CO.LTD.
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注意事项

测试阶段:
在正式上机之前往往要预先对驱动器的性能做全面的空载测试
准备工作:
-确认您的PWM型号为正逻辑控制,即输入为高电平时,IGBT导通;输入为低电平时,IGBT关断。
-确认电源电压是否符合驱动器的要求:PSHI-IGBT驱动器的电源电压为+15V±0.5V。
-确认电源功率是否满足要求:PMAX.=VS(最高原边电源电压) ISMAX.(原边最大电流)
-确认PWM输入电平是否符合驱动器的输入门槛电压ViT要求:PSHI-IGBT驱动器的输入电平一般为+15V(CMOS电平)或+5V(TTL电平)。
-确认PWM信号自带的死区时间是否小于驱动器的双低复位时间。
PCB-IGBT驱动器的双低复位时间一般为5μs;厚膜系列及ACEE系列为10μs。

不接IGBT时的连接
在不接IGBT看输出的门极信号时,必需要短接驱动器上所有的VEC监控端(即短接驱动器上的C与E),以免必然会激活过流保护而封锁门极信号。
如果门极驱动信号是开通和关断分开输出的驱动器还要短接RGON与RGOFF输出端,以免只看到不完整的输出波形。
如果是高电平复位的驱动器还要短接复位端,如PSHI 10为高电平复位,这时复位端不能悬空,需要把复位端与低短接,否则没有输出。
如果有外部故障输入端的驱动器还要短接故障输入端,否则必然会激活故障,封锁信号。

正常的门极信号为VGE=+15V / -8V;或者VGE=+15V / -15V(视不同的驱动器而定)
半桥模式下死区时间为10μs(驱动器出厂默认值)

互锁与死区:
半桥互锁模式可以在驱动器的两个通道之间产生互锁,禁止上下管同时导通,只允许一个通道有效,并产生一个互锁死区时间。互锁死区时间tTD出厂默认为10μs。死区时间的设定可通过tTD A和tTD B的外接电阻来实现。在两个输入端(或跳线)tTD A和tTD B对电源VS外接一个电阻与内部的电阻并联可以减少互锁时间,根据实际应用来调整。
需要注意的是互锁死区的时间误差由外部的电阻值来决定,实际应用时要尽量选择阻值误差小的电阻使用,以避免出现输出不平行现象。

驱动器与控制器的连接:
应该尽量缩短控制板与驱动板之间的连线长度,当连线长度小于50cm时,采用普通的扁平电缆直接连接即可。如果连线长度介于50cm ~ 100cm之间时,只能采用+15V的CMOS电平进行信号传输,信号线需要使用双绞线形式的扁平电缆或者采用屏蔽电缆连接,连接线长度不允许超过1米。过长的连接建议使用带光纤接口的驱动器,用光纤来连接。

驱动器与IGBT的连接:
IGBT门极通过门极电阻RG连接到驱动器的门极输出端。IGBT的辅助发射极与驱动器的E输出直接连接。门极电阻RG要根据所驱动的IGBT 参数做相应选择(见IGBT厂家所提供的datasheet)。除门极电阻RG之外,还要有一个门极-发射极电阻RGE和门极箝位。推荐RGE 电阻≤10kΩ,门极箝位由齐纳二极管或双向抑制二极管实现,这些二极管均要求击穿电压在16V与18V之间,这些二极管可以保证门极电压不因为寄生效应(例如米勒效应)而大幅上升。驱动器与IGBT门极之间的连线应尽可能的短并尽量以最小的回路面积布线,距离较远的话必须使用双绞线连接以减少杂散电感防止干扰,并且应尽可能地短(一般不要超过20cm)。另外建议把门极电阻RG、电压钳位二极管DZ及门极-发射极的电阻RGE放置在一小块PCB上,门极PCB必须尽量紧挨着IGBT安装。

参考曲线VCEref
通过调整盲区时间tdead可以调整“VCE监控电路”的监控灵敏度,通过调整电容CCE的值可以延长或缩短监测盲区来实现调整。但需要特别注意的是盲区时间tdead不能太长,从IGBT导通(短路开始)至软关断电路彻底关断IGBT时的总时间必须小于IGBT的安全短路时间(一般为10μs或6μs,详细参数请咨询IGBT供应商)。总的时间应包括“VCE监测”盲区时间tdead、故障返回时间(系统反应时间)td(err)、软关断IGBT时间tSC、IGBT关断拖尾时间及安全量。

IGBT短路和“软关断”
“软关断”电路。在短路情况下,“软关断”电路通过自动增加关断电阻来减缓IGBT的关断速度,经过时间tSC后关断IGBT。通过减小di/dt值可以降低故障状态下的过电压尖峰。由于在短路情况下,IGBT的同类型峰值电流将增加到IGBT额定电流的6-8倍,且电源回路总是存在着寄生电感,所以必须要比正常工作时更长的时间把电流减小到零,避免过高的电压尖峰给IGBT带来损害。
驱动器内置的软关断电阻一般为22Ω,在实际使用中必须要根据实际需要通过电阻RGoff-SC和驱动器内部的内置软关断电阻并联来获得合适的“软关断”时间。
产品
PSHI_PCB系列IGBT驱动器
PSHI 10W
PSHI 20W
PSHI 23W
PSHI 23H
PSHI 23S(串联)
PSHI 25W(F)
PSHI 27W(F)

PSHI_厚膜系列IGBT驱动器
PSHI 222W
PSHI 222WA
PSHI 261W
PSHI 232W(3-电平)

PSHI_ACEE系列IGBT驱动器
PSHI 312W
PSHI 321W
PSHI 322W
PSHI 323W
PSHI 324W
PSHI 325W

PSHI_HV高电压IGBT驱动器

PSHC 系列晶闸管驱动器
PSHC6S00

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