测试阶段:
在正式上机之前往往要预先对驱动器的性能做全面的空载测试
准备工作:
-确认您的PWM型号为正逻辑控制,即输入为高电平时,IGBT导通;输入为低电平时,IGBT关断。
-确认电源电压是否符合驱动器的要求:PSHI-IGBT驱动器的电源电压为+15V±0.5V。
-确认电源功率是否满足要求:PMAX.=VS(最高原边电源电压) • ISMAX.(原边最大电流)
-确认PWM输入电平是否符合驱动器的输入门槛电压ViT要求:PSHI-IGBT驱动器的输入电平一般为+15V(CMOS电平)或+5V(TTL电平)。
-确认PWM信号自带的死区时间是否小于驱动器的双低复位时间。
-PCB-IGBT驱动器的双低复位时间一般为5μs;厚膜系列及ACEE系列为10μs。
不接IGBT时的连接
在不接IGBT看输出的门极信号时,必需要短接驱动器上所有的VEC监控端(即短接驱动器上的C与E),以免必然会激活过流保护而封锁门极信号。
如果门极驱动信号是开通和关断分开输出的驱动器还要短接RGON与RGOFF输出端,以免只看到不完整的输出波形。
如果是高电平复位的驱动器还要短接复位端,如PSHI 10为高电平复位,这时复位端不能悬空,需要把复位端与低短接,否则没有输出。
如果有外部故障输入端的驱动器还要短接故障输入端,否则必然会激活故障,封锁信号。
正常的门极信号为VGE=+15V / -8V;或者VGE=+15V / -15V(视不同的驱动器而定)
半桥模式下死区时间为10μs(驱动器出厂默认值) |